手机越用越卡的核心原因是长时间频繁使用闪存，导致闪存硬件性能下滑，反应的最后结果是闪存读写性能下滑。针对手机越用越卡的情况，西部数据iNAND MC
EU551嵌入式闪存器件也有一定优势，其内部的HPB性能提升系统利用手机RAM来缓解闪存的硬件压力，提升性能，解决闪存长时间时候后性能衰减的问题，解决手机越用越卡的问题。
对于更依赖随机读写操作的手机设备来说，HPB功能可以显著提高使用体验。
在西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件发布会上，西部数据公司产品市场部高级产品市场经理宋学红表示，全新发布的iNAND MC
EU551嵌入式闪存产品已经送测多家设备厂商，未来也会根据客户的实际需求进行量产。
西部数据iNAND MC
EU551嵌入式闪存器件是iNAND系列产品的新成员，十多年来，该系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任。西部数据持续深耕移动生态系统领域，与领先的SoC系统设计人员合作，在智能手机的参考设计中验证其UFS
3.1解决方案，从而为制造商提供经过测试的解决方案。西部数据iNAND MC EU551 UFS
3.1嵌入式闪存器件样品现已开始供货。容量版本有128GB、256GB和512GB三种类型。
相信未来使用手机的过程中，每次的开关机，打开APP、照相等功能的时候，都需要底层存储芯片的快速响应，考验的是存储的顺序读写能力，而西部数据凭借先进的存储技术，结合技术生态系统的深入融合以及跟客户的紧密合作，将持续突破创新边界，提供更优质、更领先的存储技术和解决方案，西部数据iNAND
MC EU551 UFS 3.1嵌入式闪存器件的强大顺序读取性能，能能够轻松满足这部分需求，进一步帮助用户探索数据无限的可能性。
